전기공학
반도체
캐리어, 다이오드, MOSFET 스케치.
기초
띠와 도핑
반도체는 띠틈이 중간. n형은 여분 전자(주개), p형은 정공(받개). 진성 농도는 온도에 민감. 실리콘이 표준, 화합물은 발광·고속에 씁니다.
소자
pn 다이오드는 한쪽 방향 전도. LED는 재결합 빛. 태양전지는 그 반대. MOSFET는 게이트 전압으로 채널을 엽니다 — 논리·전력의 일꾼.
공식
다이오드 식 (개요)
I = I_s (e^{qV / n k T} − 1)
이상 인자 n≈1–2. 순방향은 지수적으로 증가.
기호
-
I_s포화전류 -
n이상 인자
MOSFET 포화 (이상)
I_D = (1/2) μ C_ox (W/L) (V_GS − V_th)²
긴 채널 스케치. 실제는 채널 길이 변조·속도 포화가 있습니다.
기호
-
V_th문턱전압 -
W/L폭/길이
같은 분야
전기공학 전기공학 전기공학 전기공학 전기공학 전기공학 전기공학 전기공학 전기공학 전기공학
직류 회로
옴, 키르히호프, 직렬·병렬, 전력.
커패시터·인덕터·교류
충·방전, 리액턴스, 임피던스, 공진.
전력·반도체·디지털
변압기, 3상, 다이오드, 게이트.
자기·전동기·제어
패러데이, 모터, 필터, 피드백.
신호와 논리
푸리에 스케치, 샘플러, 불 대수.
측정과 전기 안전
멀티미터, RMS와 피크, 변압비, 감전·절연.
연산증폭기와 필터
이상 연산증폭기, 반전·비반전 이득, RC 저역·고역, 차단주파수.
디지털 논리
불 대수, 게이트, 플립플롭, 타이밍.
삼상 전력
선과 상, 와이·델타, √3 전력, 전동기 스케치.
전지와 태양광
용량·C레이트, 직렬·병렬, 태양광 I–V, 최대전력점.